• 一种适用于DDR内存驱动的LDO芯片设计

  本文介绍了一种适用于DDR内存驱动的LDO芯片设计。该设计采用跨导线性环结构增大摆率，具有快速瞬态响应。控制环路上下通道不匹配，采用单边米勒补偿方式，形成环路主极点和零点，再引入电阻R3形成补偿零点，环路整体表示为单极点系统，具有很好的稳定性。该LDO的典型输入电压为1.2V，输出电压为0.6V，负载电容为10μF，具有1.5A的电流抽取和灌出能力，同时集成了2.6A的电流限功能。仿真结果表明该设

导航栏目