一种适用于DDR内存驱动的LDO芯片设计

摘要：本文介绍了一种适用于DDR内存驱动的LDO芯片设计。该设计采用跨导线性环结构增大摆率，具有快速瞬态响应。控制环路上下通道不匹配，采用单边米勒补偿方式，形成环路主极点和零点，再引入电阻R3形成补偿零点，环路整体表示为单极点系统，具有很好的稳定性。该LDO的典型输入电压为1.2V，输出电压为0.6V，负载电容为10μF，具有1.5A的电流抽取和灌出能力，同时集成了2.6A的电流限功能。仿真结果表明该设计具有很好的瞬态调整能力和稳定性。

一、引言

随着科技的不断发展，数字数据存储的需求也在不断增加。DDR内存驱动是实现这一目标的关键技术之一。本文提出了一种适用于DDR内存驱动的LDO芯片设计，旨在提供稳定、高效的电源管理解决方案。

二、系统设计

该LDO芯片设计主要包括输入电压调整器、输出电压调整器、反馈环路和电源开关等部分。其中，输入电压调整器采用跨导线性环结构，以提高摆率和瞬态响应速度。输出电压调整器则采用单边米勒补偿方式，以实现环路的稳定性。

三、仿真验证

采用0.35μmBCD工艺对该设计进行了仿真验证。仿真结果表明，该设计在各种工作条件下均具有良好的瞬态调整能力和稳定性。此外，该设计还具有较低的功耗和较高的效率，能够满足DDR内存驱动的应用需求。

四、结论

本文提出了一种适用于DDR内存驱动的LDO芯片设计。该设计采用跨导线性环结构增大摆率，具有快速的瞬态响应。控制环路上下通道不匹配，采用单边米勒补偿方式，形成环路主极点和零点，再引入电阻R3形成补偿零点，环路整体表示为单极点系统，具有很好的稳定性。此外，该设计还具有良好的功耗和效率表现。采用0.35μmBCD工艺进行仿真验证，仿真结果表明该设计具有很好的瞬态调整能力和稳定性。

绍兴西耀电子科技有限公司是一家微电子FABLESS公司，拥有自主产权IC集成电路半导体企业芯片厂商，研发销售高端芯片、电子元器件，晶圆wafer，采购供应IC芯片产品目录、IC查询报价、芯片价格规格书免费试样，并提供IC芯片终端应用解决方案。主营产品：LDO芯片模拟CMOS/Bipolar低压差线性稳压器、DC-DC稳压升压降压控制器转换器芯片Chip、锂电池充电保护IC、磷酸铁锂电池充电/保护IC集成电路、音频功放运放IC、电荷泵芯片、高压MOSFETMOS管电子晶体管元件等。

IC wafer 芯片行业交流、产品咨询、免费试样，请加微信，13375752701（方总），广交天下贤德，互利共赢未来！